| 000 | 01684nam a2200241Ia 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 999 |
_c51678 _d51678 |
||
| 001 | 18669 | ||
| 003 | GE_BSU | ||
| 005 | 20220920164352.0 | ||
| 008 | 181216s2008||||ge |||||||||||||| ||geo|| | ||
| 040 | _cGE_BSU | ||
| 041 | _ageo | ||
| 080 | _a53 ჯ-22 | ||
| 100 |
_aჯანელიძე, ო. _91746 |
||
| 245 |
_aღრმა ცენტრების გავლენის გამოკვლევა GAAS - ის და მის ბაზაზე დამზადებული ველის ტრანზისტორების ელექტრულ თვისებებზე : დისერტაცია / _cოთარ ჯანელიძე; სამეცნ. ხელმძღვ. ბ.ვ. კუტუბიძე; ბათუმის შოთა რუსთაველის სახელმწიფო უნივერსიტეტი. |
||
| 264 |
_aბათუმი, _b _c2008. |
||
| 300 |
_a166 გვ. ; _b30 სმ. |
||
| 653 | _aდისერტაცია | ||
| 653 | _aფიზიკა | ||
| 653 | _aღრმა ცენტრების გავლენის გამოკვლევა GAAS-ის და მის ბაზაზე დამზადებული ველის ტრანზისტორების ელექტრულ თვისებებზე | ||
| 700 |
_aკუტუბიძე ბ.ვ. _eსამეცნიერო ხელმძღვანელი _91750 |
||
| 710 |
_aბათუმის შოთა რუსთაველის სახელმწიფო უნივერსიტეტი _911884 |
||
| 942 |
_cBK _2udc |
||